Samsung Electronics mengumumkan kerjasama strategik baharu dengan Advanced Micro Devices (AMD) bagi memperluaskan pembangunan teknologi memori dan pengkomputeran AI generasi akan datang. Kerjasama tersebut dimeterai melalui memorandum persefahaman (MoU) yang ditandatangani di kompleks pembuatan cip Samsung di Pyeongtaek, Korea Selatan.
Kedua-dua syarikat baka; bekerjasama untuk membangunankan memori berprestasi tinggi bagi infrastruktur AI generasi baharu. Samsung akan menjadi pembekal utama memori HBM4 untuk pemecut AI akan datang daripada AMD iaitu AMD Instinct MI455X. Selain itu, kedua-dua pihak turut menyelaraskan pembangunan memori DRAM generasi baharu bagi menyokong pemproses AMD EPYC Venice yang akan digunakan dalam sistem AI berprestasi tinggi.
Teknologi HBM4 daripada Samsung dibina menggunakan proses DRAM kelas 10nm generasi keenam bersama cip logik 4nm. Ia menawarkan kelajuan pemprosesan sehingga 13Gbps serta pindahan data maksimum 3.3TB/s yang menjadikannya antara teknologi memori paling pantas dalam industri untuk beban kerja AI dan pusat data.
Digabungkan dengan GPU AMD Instinct MI455X, teknologi tersebut dijangka memainkan peranan penting dalam sistem latihan dan inferens model AI berskala besar. Selain itu, kerjasama tersebut merangkumi pembangunan memori DDR5 berprestasi tinggi yang dioptimumkan untuk platform pelayan generasi seterusnya seperti AMD Helios.
Mereka juga akan meneroka potensi kerjasama perkhidmatan foundry yang membolehkan Samsung menghasilkan cip AMD generasi akan datang. Samsung dan AMD sebenarnya telah bekerjasama selama hampir dua dekad dalam teknologi grafik, mudah alih dan pengkomputeran termasuk penggunaan memori HBM3E Samsung dalam pemecut AI terkini AMD seperti AMD Instinct MI350X dan AMD Instinct MI355X.
Kongsi pendapat anda di Facebook kami dan teruskan bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia untuk berita teknologi terkini.
Sumber: Samsung