Samsung Electronics hari ini mengumumkan pembangunan DRAM DDR5 16 gigabit (Gb) yang dibina menggunakan teknologi proses 12 nanometer (nm) pertama dalam industri serta penyempurnaan penilaian produk untuk keserasian dengan AMD.
Jooyoung Lee, Naib Presiden Eksekutif Produk & Teknologi DRAM di Samsung Electronics berkata bahawa dengan prestasi dan kecekapan kuasa yang luar biasa, beliau menjangkakan DRAM baharu akan berfungsi sebagai asas untuk operasi yang lebih mampan dalam bidang seperti pengkomputeran generasi akan datang, pusat data dan sistem dipacu AI.
DDR5 DRAM baharu juga diumumkan serasi dengan produk AMD dan ia telah dioptimumkan serta disahkan pada platform Zen. DRAM baharu adalah berdasarkan litografi EUV (Ultraviolet ekstrem) membolehkan ketumpatan proses lebih tinggi dan produktiviti 20% lebih baik. Terdapat juga pengurangan kuasa 23% untuk mesra alam yang lebih baik.
Dengan memanfaatkan standard DDR5 terkini, DRAM proses 12nm Samsung mecatatkan kelajuan sehingga 7.2 gigabit sesaat (Gbps). Dengan pengeluaran besar-besaran yang akan dimulakan pada 2023, Samsung merancang untuk meluaskan barisan DRAMnya yang dibina dengan proses 12nm termaju ini ke dalam pelbagai segmen pasaran.
Kongsi pendapat anda di Facebook kami dan teruskan bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia untuk berita teknologi terkini.
Sumber: Samsung