Samsung ialah syarikat terkemuka dalam bidang semikonduktor. Ia mengeluarkan sensor kamera, memori, cipset, storan, bateri dan banyak lagi. Syarikat Korea Selatan itu secara aktif bekerja dalam semua pasaran.
Baru-baru ini, Naib Presiden Samsung, Younggwan Ko berkata apabila semikonduktor memori menjadi lebih berkuasa, teknologi keseluruhan mesti berkembang bersama. Sehubungan itu, beliau berkata penggunaan proses MSAP pada cip memori DDR6nya akan membolehkan Samsung membuat cip dengan litar yang lebih halus.
Seperti yang dilaporkan The Elec, pesaing Samsung telah menggunakan teknologi MSAP untuk memori DDR5 sebelum ini. Tetapi Samsung mahu menjadi satu langkah ke hadapan dan menggunakannya untuk DDR6.
Kaedah teknologi keseluruhan tradisional hanya melapisi kawasan corak litar dan menggores kawasan lain. Tetapi dalam hasil MSAP, kawasan selain litar dan kawasan kosong disalut membolehkan litar yang lebih halus.
Samsung melancarkan cip DRAM 24Gbps GDDR6 pertamanya untuk kad grafik awal minggu ini. Laporan sepadan mengatakan syarikat itu berada di peringkat awal pembangunan DDR6. Menurut laporan yang dikeluarkan tahun lepas, Samsung akan melengkapkan reka bentuk memori DDR6 pada tahun 2024.
DDR6 dijangka dua kali lebih pantas daripada DDR5 dan mempunyai dua kali ganda bilangan saluran memori. DDR6 (JEDEC) boleh mencapai kadar pemindahan kira-kira 12800Mbps dan menyokong overclocking kepada 17000Mbps.
Pada masa ini, DIMM DDR5 terpantas Samsung mempunyai kelajuan pemindahan sehingga 7200 Mbps. Dalam erti kata lain, DDR6 akan menjadi 0.7x lebih pantas dan kelajuan overclocking akan menjadi 1.36x lebih pantas. Oleh itu, telefon pintar pertama dengan cip memori DDR6 mungkin Samsung Galaxy S25.
Tetapi Samsung mungkin membekalkan memori ini kepada pengeluar telefon pintar lain terlebih dahulu. Kongsi pendapat anda tentang berita ini di Facebook kami dan teruskan bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia untuk berita teknologi terkini.
Sumber: Gizchina
