IBM dan Samsung telah mengumumkan kemajuan terbaru mereka dalam reka bentuk semikonduktor. Ciri baharu ini menyusun transistor secara menegak pada cip bukannya berbaring rata pada permukaan semikonduktor (seperti sebelum ini).
Reka bentuk Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) terbaharu bertujuan untuk menjayakan teknologi FinFET semasa yang digunakan untuk beberapa cip tercanggih masa kini dan membenarkan cip yang lebih padat dengan transistor.
Pada dasarnya, reka bentuk baharu akan menyusun transistor secara menegak yang membenarkan arus mengalir ke atas dan ke bawah tindanan transistor dan bukannya susun atur mendatar sisi ke sisi yang kini digunakan pada kebanyakan cip. Reka bentuk menegak untuk semikonduktor telah menjadi trend waktu ini.
Walaupun mereka masih jauh daripada reka bentuk VTFET yang digunakan dalam cip pengguna sebenar, kedua-dua syarikat itu menyatakan bahawa cip VTFET boleh menawarkan dua kali ganda peningkatan dalam prestasi atau pengurangan 85 peratus dalam penggunaan tenaga berbanding kepada reka bentuk FinFET.
Dengan meletakkan lebih banyak transistor ke dalam cip, IBM dan Samsung mendakwa bahawa teknologi VTFET boleh membantu mengekal dan meningkatkan kuasa yang secukupnya. IBM dan Samsung juga ingin menghasilkan teknologi baharu dan bercadang untuk menghasilkan bateri telefon yang boleh bertahan selama seminggu tanpa dicas.
IBM sebelum ini telah menunjukkan cip 2nm pertamanya awal tahun ini yang meletakkan lebih banyak transistor dengan meningkatkan jumlah kuasa yang boleh dimuatkan pada cip menggunakan reka bentuk FinFET.
Beri pendapat anda di Facebook kami dan teruskan bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia untuk berita teknologi terkini.
Sumber: The Verge
