Micron mengumumkan storan UFS 4.0 dan mendedahkan bahawa ia telah menghantar sampel produk untuk memilih pengeluar telefon pintar global serta pembekal cipset. Teknologi baharu itu akan digunakan untuk menghasilkan storan dalam kapasiti 256GB, 512GB dan 1TB.
Pengeluaran storan secara besar-besaran akan bermula pada penggal kedua tahun ini, jadi agak lama sebelum telefon pertama dengan storan Micron UFS 4.0 tiba. Storan ini dibina pada flash TLC 232 lapisan di mana ia mempunyai sel tiga peringkat dengan penyimpanan 3 bit setiap sel.
Menurut Micron, seni bina NAND enam satah membolehkan daya baca rawak yang lebih tinggi berbanding storan generasi sebelumnya adalah 100% lebih tinggi dan proses bacaan adalah 75% lebih tinggi. Storan UFS 4.0 Micron menawarkan sehingga 4,300Mbps kelajuan baca berurutan dan sehingga 4,000Mbps kelajuan menyimpan berurutan.
Itu lebih tinggi daripada UFS 4.0 Samsung terutamanya penilaian menyimpan. Selain itu, cip UFS 4.0 baharu adalah 25% lebih cekap kuasa dan menjanjikan kependaman proses menyimpan maklumat 10% lebih rendah.
Kongsi pendapat anda di Facebook kami dan teruskan bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia untuk berita teknologi terkini.
Sumber: Micron
