Samsung dikatakan akan membuat pengeluaran besar-besaran untuk cip 3nm mereka pada minggu depan. Samsung akan mendahului TSMC kerana pengeluarannya akan bermula pada penggal kedua 2022.
Menurut Yonhap News, cip 3nm Samsung akan membawa pengurangan kawasan sebanyak 35%, prestasi 30% lebih tinggi dan penggunaan kuasa 50% lebih rendah berbanding cip 5nm. Ini kerana reka bentuk Gate-All-Around (GAA) untuk transistor dan teknologi FinFET dapat mengecilkan transistor.
Pada bulan lepas, Presiden Amerika Syarikat (AS) melawat kilang Samsung untuk menghadiri demonstrasi teknologi 3nm. Syarikat itu sedang berbincang untuk pelaburan bernilai $10 bilion untuk kejuruteraan cip 3nm di Texas. Pelaburan itu kini telah berkembang kepada $17 bilion dan ia dijangka akan mula beroperasi pada 2024.
Selepas nod 3nm, Samsung dikatakan akan meneruskan dengan nod 2nm berasaskan MBCFET pada 2025. Kongsi pendapat anda di Facebook kami dan nantikan berita seterusnya bersama Rakan Teknologi Utama Malaysia.
Sumber: GSMArena
